IT之家 6 月 28 日动静，根据三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工论坛（SFF 2023）上宣布的最新工艺技术路线图，该公司计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺，2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。与此同时，该公司还宣布了 SF2 工艺的一些特性。

三星的 SF2 工艺是在今年早些时候推出的第三代 3 纳米级（SF3）工艺的基础上进一步优化的。与 SF3 比拟，SF2 工艺可以在相同的频率和复杂度下进步 25% 的功耗效率，在相同的功耗和复杂度下进步 12% 的机能，在相同的机能和复杂度下减少 5% 的面积。为了让 SF2 工艺更具竞争力，三星还将为该工艺提供一系列进步前辈的 IP 组合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

继 SF2 之后，三星将在 2026 年推出针对高性能计算（HPC）优化的 SF2P，以及于 2027 年推出针对汽车应用优化的 SF2A 工艺。同样在 2027 年，该公司还计划开始使用 SF1.4（1.4 纳米级）制造工艺进行量产。三星的 2 纳米级工艺将与台积电的 N2（2 纳米级）工艺大致同步，比英特尔的 20A 工艺晚一年左右。

IT之家留意到，除了不断晋升自己的工艺技术，三星代工还计划继承发展其射频技术。该公司预计其 5 纳米射频工艺技术将于 2025 年上半年准备就绪，与旧版 14 纳米射频工艺比拟，三星的 5 纳米射频预计可以进步 40% 的功耗效率，进步约 50% 的晶体管密度。此外，三星还将于 2025 年开始出产氮化镓（GaN）功率半导体，用于消费品、数据中心和汽车领域等各种应用。

IT之家 6 月 28 日动静，根据三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工论坛（SFF 2023）上宣布的最新工艺技术路线图，该公司计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺，2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。与此同时，该公司还宣布了 SF2 工艺的一些特性。

三星的 SF2 工艺是在今年早些时候推出的第三代 3 纳米级（SF3）工艺的基础上进一步优化的。与 SF3 比拟，SF2 工艺可以在相同的频率和复杂度下进步 25% 的功耗效率，在相同的功耗和复杂度下进步 12% 的机能，在相同的机能和复杂度下减少 5% 的面积。为了让 SF2 工艺更具竞争力，三星还将为该工艺提供一系列进步前辈的 IP 组合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

继 SF2 之后，三星将在 2026 年推出针对高性能计算（HPC）优化的 SF2P，以及于 2027 年推出针对汽车应用优化的 SF2A 工艺。同样在 2027 年，该公司还计划开始使用 SF1.4（1.4 纳米级）制造工艺进行量产。三星的 2 纳米级工艺将与台积电的 N2（2 纳米级）工艺大致同步，比英特尔的 20A 工艺晚一年左右。

IT之家留意到，除了不断晋升自己的工艺技术，三星代工还计划继承发展其射频技术。该公司预计其 5 纳米射频工艺技术将于 2025 年上半年准备就绪，与旧版 14 纳米射频工艺比拟，三星的 5 纳米射频预计可以进步 40% 的功耗效率，进步约 50% 的晶体管密度。此外，三星还将于 2025 年开始出产氮化镓（GaN）功率半导体，用于消费品、数据中心和汽车领域等各种应用。

IT之家 6 月 28 日动静，根据三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工论坛（SFF 2023）上宣布的最新工艺技术路线图，该公司计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺，2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。与此同时，该公司还宣布了 SF2 工艺的一些特性。

三星的 SF2 工艺是在今年早些时候推出的第三代 3 纳米级（SF3）工艺的基础上进一步优化的。与 SF3 比拟，SF2 工艺可以在相同的频率和复杂度下进步 25% 的功耗效率，在相同的功耗和复杂度下进步 12% 的机能，在相同的机能和复杂度下减少 5% 的面积。为了让 SF2 工艺更具竞争力，三星还将为该工艺提供一系列进步前辈的 IP 组合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

继 SF2 之后，三星将在 2026 年推出针对高性能计算（HPC）优化的 SF2P，以及于 2027 年推出针对汽车应用优化的 SF2A 工艺。同样在 2027 年，该公司还计划开始使用 SF1.4（1.4 纳米级）制造工艺进行量产。三星的 2 纳米级工艺将与台积电的 N2（2 纳米级）工艺大致同步，比英特尔的 20A 工艺晚一年左右。

IT之家留意到，除了不断晋升自己的工艺技术，三星代工还计划继承发展其射频技术。该公司预计其 5 纳米射频工艺技术将于 2025 年上半年准备就绪，与旧版 14 纳米射频工艺比拟，三星的 5 纳米射频预计可以进步 40% 的功耗效率，进步约 50% 的晶体管密度。此外，三星还将于 2025 年开始出产氮化镓（GaN）功率半导体，用于消费品、数据中心和汽车领域等各种应用。

IT之家 6 月 28 日动静，根据三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工论坛（SFF 2023）上宣布的最新工艺技术路线图，该公司计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺，2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。与此同时，该公司还宣布了 SF2 工艺的一些特性。

三星的 SF2 工艺是在今年早些时候推出的第三代 3 纳米级（SF3）工艺的基础上进一步优化的。与 SF3 比拟，SF2 工艺可以在相同的频率和复杂度下进步 25% 的功耗效率，在相同的功耗和复杂度下进步 12% 的机能，在相同的机能和复杂度下减少 5% 的面积。为了让 SF2 工艺更具竞争力，三星还将为该工艺提供一系列进步前辈的 IP 组合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

继 SF2 之后，三星将在 2026 年推出针对高性能计算（HPC）优化的 SF2P，以及于 2027 年推出针对汽车应用优化的 SF2A 工艺。同样在 2027 年，该公司还计划开始使用 SF1.4（1.4 纳米级）制造工艺进行量产。三星的 2 纳米级工艺将与台积电的 N2（2 纳米级）工艺大致同步，比英特尔的 20A 工艺晚一年左右。

IT之家留意到，除了不断晋升自己的工艺技术，三星代工还计划继承发展其射频技术。该公司预计其 5 纳米射频工艺技术将于 2025 年上半年准备就绪，与旧版 14 纳米射频工艺比拟，三星的 5 纳米射频预计可以进步 40% 的功耗效率，进步约 50% 的晶体管密度。此外，三星还将于 2025 年开始出产氮化镓（GaN）功率半导体，用于消费品、数据中心和汽车领域等各种应用。